Goford Semiconductor G15N10C - Goford Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник G15N10C

Н100В,РД(МАКС)<110 м при 10 В, RD (МАКС.) <1

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник G15N10C
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 50
  • Артикул: G15N10C
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,1310

Дополнительная цена:$0,1310

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 15А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 110 мОм при 8 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 22 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 42 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ТО-252
Пакет/ключи ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 2500
Н-канал 100 В 15 А (Tc) 42 Вт (Tc) для поверхностного монтажа ТО-252