GOFORD Semiconductor G16N03S

N30V, 16a, Rd <10m@10V, VTH1.0V ~ 2,5

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: GOFORD Semiconductor G16N03S
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 4
Sku: G16N03S
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,1160

Эkst цena:$0,1160

Подрэбной

Парметр
Манера	Goford Semiconductor
В припании	Грлин
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	30
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	16a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	5 В, 10 В.
Rds on (max) @ id, vgs	10 месяцев @ 10a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	2,5 -50 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	16,6 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	950 pf @ 15 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	2,5 yt (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	8-Sop
PakeT / KORPUES	8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм)
Статус Ройс	Rohs3
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Станодар	4000

N-kanal 30- 16a (tc) 2,5-т (tc) poverхnostnoe