| Параметры |
| Производитель | Гофорд Полупроводник |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Технология | - |
| Конфигурация | 2 P-канала (двойной) |
| Особенность левого транзистора | - |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 9А (Тц) |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 25 мОм при 5 А, 4,5 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2,5 В @ 250 мкА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 18 НК @ 10 В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1786пФ при 4,5 В |
| Мощность - Макс. | 1,4 Вт (Тс) |
| Рабочая температура | -55°С ~ 150°С (Тс) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) |
| Поставщик пакета оборудования | 8-СОП |
| Базовый номер продукта | G170 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 4000 |
Массив МОП-транзисторов 30 В, 9 А (Tc), 1,4 Вт (Tc), для поверхностного монтажа, 8-СОП