GOFORD Semiconductor G1K1P06HH

P-60V, -4,5A, RD (MMAKS) <110M@-10V, VT

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: GOFORD Semiconductor G1K1P06HH
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 7
Sku: G1K1P06HH
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,0790

Эkst цena:$0,0790

Подрэбной

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	П-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	60
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	4.5a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	10 В
Rds on (max) @ id, vgs	110mohm @ 4a, 10v
Vgs (th) (max) @ id	4 В @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	11 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	981 PF @ 30 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	3,1 м (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	SOT-223
PakeT / KORPUES	261-4, 261AA
Статус Ройс	ROHS COMPRINT
Вернояж	3 (168 чASOW)
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	2500

P-KANAL 60-4,5A (TC) 3,1 Вт (TC) PORHERхNOSTNONOE