Гофорд Полупроводник G1K3N10G

Н100В, 5А,РД<130 м при 10 В, VTH1 В ~ 2 В,

Производитель: Гофорд Полупроводник
Номер производителя: Гофорд Полупроводник G1K3N10G
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 3
Артикул: Г1К3Н10Г
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,0990

Дополнительная цена:$0,0990

Подробности

Параметры
Производитель	Гофорд Полупроводник
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	5А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	130 мОм при 5 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	20 НК при 10 В
ВГС (Макс)	±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	644 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	1,5 Вт (Тс)
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования	СОТ-89
Пакет/ключи	ТО-243АА
Статус RoHS	Соответствует RoHS
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0000
Стандартный пакет	1000

N-канал 100 В 5 А (Tc) 1,5 Вт (Tc) для поверхностного монтажа SOT-89