Goford Semiconductor G1NP02LLE — полевые и полевые транзисторы Goford Semiconductor, MOSFET — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник G1NP02LLE

НП20В, 1,3А/-1,1А,РД<210 М при 4,5 В, Р

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник G1NP02LLE
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 150
  • Артикул: G1NP02LLE
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,0430

Дополнительная цена:$0,0430

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация -
Особенность левого транзистора Стандартный
Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 1,3 А (Тс), 1,1 А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 210 мОм при 650 мА, 4,5 В, 460 мОм при 500 мА, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1 В при 250 мкА, 800 мВ при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 1 нк при 4,5 В, 1,22 нк при 4,5 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 146пФ при 10В, 177пФ при 10В
Мощность - Макс. 1,25 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи СОТ-23-6
Поставщик пакета оборудования СОТ-23-6Л
Статус RoHS Соответствует RoHS
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0000
Стандартный пакет 3000
Массив МОП-транзисторов 20 В, 1,3 А (Tc), 1,1 А (Tc), 1,25 Вт (Tc), для внешнего монтажа СОТ-23-6Л