Goford Semiconductor G2002a

N200V, 2a, Rd <540m@10V, VTH1.0V ~ 3.

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: Goford Semiconductor G2002a
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 60
Sku: G2002A
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,0850

Эkst цena:$0,0850

Подрэбной

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В припании	Грлин
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	200
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	2а (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	540MOHM @ 1A, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	3 w @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	16 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	733 pf @ 100 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	2,5 yt (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	SOT-23-6L
PakeT / KORPUES	SOT-23-6
Статус Ройс	Rohs3
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	3000

N-kanal 200- 2а (Tc) 2,5-т (tc) poverхnoStnoe