Goford Semiconductor G200P04D3 - Goford Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник G200P04D3

П-40В,-20А,РД(МАКС)<75М@-10В,ВТХ-

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник G200P04D3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 3619
  • Артикул: G200P04D3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,1523

Дополнительная цена:$0,1523

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 20А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 75 мОм при 6 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 54 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2662 пФ при 20 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 30 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-ДФН (3,15х3,05)
Пакет/ключи 8-PowerVDFN
Статус RoHS Соответствует RoHS
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0000
Другие имена 3141-G200P04D3TR
Стандартный пакет 5000
П-канал 40 В 20 А (Tc) 30 Вт (Tc) для поверхностного монтажа 8-DFN (3,15х3,05)