Гофорд Полупроводник G200P04S2

П-40В,-9А,РД(МАКС)<20М@-10В,ВТХ-1

Производитель: Гофорд Полупроводник
Номер производителя: Гофорд Полупроводник G200P04S2
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 3
Артикул: Г200П04С2
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,9100

Дополнительная цена:$0,9100

Подробности

Параметры
Производитель	Гофорд Полупроводник
Ряд	Г
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация	2 P-канала (двойной)
Особенность левого транзистора	-
Напряжение стока к источнику (Vdss)	40В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	9А (Тц)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	20 мОм при 7 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	42 НК при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	2365пФ при 20 В
Мощность - Макс.	2,1 Вт (Тс)
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)
Поставщик пакета оборудования	8-СОП
Базовый номер продукта	G200
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	4000

Массив МОП-транзисторов 40 В, 9 А (Tc), 2,1 Вт (Tc), для поверхностного монтажа, 8-СОП