Goford Semiconductor G200P04S2

P-40V, -9a, Rd (max) <20m@-10v, VTH-1

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: Goford Semiconductor G200P04S2
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 3
Sku: G200P04S2
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,9100

Эkst цena:$0,9100

Подрэбной

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В припании	Грлин
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Коунфигура	2 P-KANOL (DVOйNOй)
FET FUONKSHINA	-
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	40
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	9А (TC)
Rds on (max) @ id, vgs	20mohm @ 7a, 10v
Vgs (th) (max) @ id	2,5 -50 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	42NC @ 10V
Взёр.	2365pf @ 20 a.
Синла - МАКС	2,1 м (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
PakeT / KORPUES	8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм)
ПАКЕТИВАЕТСЯ	8-Sop
Baзowый nomer prodikta	G200
Статус Ройс	Rohs3
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодар	4000

MOSFET ARRAY 40V 9A (TC) 2,1-вт (TC) poverхnoStnoe