Гофорд Полупроводник G2012

Н20В,РД(МАКС)<12 М при 4,5 В, RD (МАКС.) <18

Производитель: Гофорд Полупроводник
Номер производителя: Гофорд Полупроводник G2012
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 3
Артикул: Г2012
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,0790

Дополнительная цена:$0,0790

Подробности

Параметры
Рассеиваемая мощность (макс.)	1,5 Вт (Тс)
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования	6-ДФН (2х2)
Пакет/ключи	6-WDFN Открытая площадка
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	3000
Производитель	Гофорд Полупроводник
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	12А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	2,5 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	12 мОм при 5 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	1 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	29 НК при 10 В
ВГС (Макс)	±10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	1255 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора	-

Н-канальный 20 В 12 А (Tc) 1,5 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа 6-DFN (2х2)