Goford Semiconductor G20N03D2 - Goford Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник G20N03D2

Н30В,РД(МАКС)<24 м при 10 В, RD (МАКС.) <29 м

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник G20N03D2
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 6
  • Артикул: G20N03D2
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,0790

Дополнительная цена:$0,0790

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 9А (Тц)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 24 мОм при 5 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 20 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 873 пФ при 30 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1,5 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 6-ДФН (2х2)
Пакет/ключи 6-WDFN Открытая площадка
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
N-канал 30 В 9 А (Tc) 1,5 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа 6-DFN (2x2)