Goford Semiconductor G20N06D52

N60V, RD (MAX) <30M@10V, RD (MAX) <40M

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: Goford Semiconductor G20N06D52
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 20
Sku: G20N06D52
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,1920

Эkst цena:$0,1920

Подрэбной

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Коунфигура	2 n-канал (Дзонано)
FET FUONKSHINA	-
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	60
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	20А (тат)
Rds on (max) @ id, vgs	30mohm @ 20a, 10v
Vgs (th) (max) @ id	2,5 -50 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	25NC @ 10V
Взёр.	1220pf @ 30v
Синла - МАКС	45 yt (tat)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
PakeT / KORPUES	8-Powertdfn
ПАКЕТИВАЕТСЯ	8-DFN (4,9x5,75)
Baзowый nomer prodikta	G20N
Вернояж	3 (168 чASOW)
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	5000

MOSFET ARRAY 60V 20A (TA) 45W (TA) PORHERхNOSTNONOENPLEPLENIEE 8-DFN (4,9x5,75)