Гофорд Полупроводник G20N06D52

Н60В,РД(МАКС)<30М при 10В,РД(МАКС)<40М

Производитель: Гофорд Полупроводник
Номер производителя: Гофорд Полупроводник G20N06D52
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 20
Артикул: Г20Н06Д52
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,1920

Дополнительная цена:$0,1920

Подробности

Параметры
Производитель	Гофорд Полупроводник
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация	2 N-канала (двойной)
Особенность левого транзистора	-
Напряжение стока к источнику (Vdss)	60В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	20А (Та)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	30 мОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	25 НК при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	1220пФ при 30В
Мощность - Макс.	45 Вт (Та)
Рабочая температура	-55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	8-PowerTDFN
Поставщик пакета оборудования	8-ДФН (4,9х5,75)
Базовый номер продукта	G20N
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	3 (168 часов)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	5000

Массив МОП-транзисторов 60 В, 20 А (Ta) 45 Вт (Ta), для поверхностного монтажа 8-DFN (4,9x5,75)