GOFORD Semiconductor G20P08K

P-80V, RD (MAX) <62M@-10V, RD (MAX) <7

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: GOFORD Semiconductor G20P08K
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 3952
Sku: G20P08K
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТА

Подрэбной

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	П-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	80
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	20А (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	62mohm @ 10a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	2,5 -50 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	48 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	3500 pf @ 30 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	60 yt (tc)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	252
PakeT / KORPUES	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	3 (168 чASOW)
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодар	2500

P-Kanal 80 v 20A (TC) 60 st (TC)