Goford Semiconductor G2305

P20V, RD (MAX) <50M@-4,5V, RD (MAX) <7

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: Goford Semiconductor G2305
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 30
Sku: G2305
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,0350

Эkst цena:$0,0350

Подрэбной

Парметр
Манера	Goford Semiconductor
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	П-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	20
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	4.8a (TA)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	2,5 В, 4,5 В.
Rds on (max) @ id, vgs	50mohm @ 4,1a, 4,5
Vgs (th) (max) @ id	1В @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	7,8 NC @ 4,5
Vgs (mmaks)	± 12 В.
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	1,7 yt (tat)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	SOT-23-3
PakeT / KORPUES	Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	3 (168 чASOW)
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодар	3000

P-KANAL 20-4,8A (TA) 1,7 Вт (TA) PORHERхNOSTNOE