Парметр |
Млн | Goford Semiconductor |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ФЕТ | П-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 60 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 60a (TC) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 10 В |
Rds on (max) @ id, vgs | 20mohm @ 10a, 10 В |
Vgs (th) (max) @ id | 4 В @ 250 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 62 NC @ 10 V |
Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
Взёр. | 4581 PF @ 30 V |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 115W (TC) |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 252 |
PakeT / KORPUES | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 |
Статус Ройс | ROHS COMPRINT |
Вернояж | 3 (168 чASOW) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0000 |
Станодар | 2500 |
P-канал 60 В 60A (TC) 115W (TC) PORHERхNOSTNONOENPLEPLENIEN 252