Goford Semiconductor G2312 — полевые транзисторы Goford Semiconductor, MOSFET — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник G2312

Н20В,РД(МАКС)<18М@10В,RD(MAX)<20М

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник G2312
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 45
  • Артикул: G2312
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,0350

Дополнительная цена:$0,0350

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 18 мОм при 4,2 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 11 НК при 4,5 В
ВГС (Макс) ±12 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 780 пФ при 10 В
Рассеиваемая мощность (макс.) 1,25 Вт
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования СОТ-23
Пакет/ключи ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
Н-канальный 20 В, 5 А, 1,25 Вт, для поверхностного монтажа СОТ-23