Goford Semiconductor G250N03IE - Goford Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник G250N03IE

Н30В,ЭСР 5.3А,РД<25 м при 10 В, VTH0,5 В

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник G250N03IE
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 9
  • Артикул: G250N03IE
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,0370

Дополнительная цена:$0,0370

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 5,3 А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 2,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 25 мОм при 4 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1,3 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 9,1 нк при 4,5 В
ВГС (Макс) ±10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 573 пФ при 15 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1,4 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования СОТ-23-3
Пакет/ключи ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3
Статус RoHS Соответствует RoHS
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0000
Стандартный пакет 3000
N-канал 30 В 5,3 А (Tc) 1,4 Вт (Tc) для поверхностного монтажа СОТ-23-3