Goford Semiconductor G28N02T - Goford Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник G28N02T

Н20В, 28А, РД<7,3 М при 4,5 В, VTH0,5 В~

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник G28N02T
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 9406
  • Артикул: G28N02T
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,4942

Дополнительная цена:$0,4942

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 28А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 2,5 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 7,3 мОм при 12 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 900 мВ при 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 42 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±12 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2000 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2,5 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-220
Пакет/ключи ТО-220-3
Статус RoHS Соответствует RoHS
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0000
Другие имена 3141-Г28Н02Т
Стандартный пакет 50
Н-канал 20 В 28 А (Тс) 2,5 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-220