GOFORD Semiconductor G28N03D3

N30V, RD (MAX) <12M@10V, RD (MAX) <18M

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: GOFORD Semiconductor G28N03D3
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 5
Sku: G28N03D3
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,0920

Эkst цena:$0,0920

Подрэбной

Парметр
Манера	Goford Semiconductor
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	30
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	28a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	12mohm @ 16a, 10v
Vgs (th) (max) @ id	2,5 -50 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	15 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	891 PF @ 15 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	20,5 yt (tc)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	8-DFN (315x3,05)
PakeT / KORPUES	8-powervdfn
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	3 (168 чASOW)
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодар	5000

N-kanal 30- 28a (tc) 20,5 st (tc) porхnostnoe kreplepleneene 8-dfn (3,15x3,05)