Гофорд Полупроводник G2K3N10L6

Н100В, 3А,РД<220 М при 10 В, VTH1,0 В~2.

Производитель: Гофорд Полупроводник
Номер производителя: Гофорд Полупроводник G2K3N10L6
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 3
Артикул: Г2К3Н10Л6
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,0650

Дополнительная цена:$0,0650

Подробности

Параметры
Производитель	Гофорд Полупроводник
Ряд	Г
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация	2 N-канала (двойной)
Особенность левого транзистора	-
Напряжение стока к источнику (Vdss)	100В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	3А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	220 мОм при 2 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,2 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	4,8 нк @ 4,5 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	536пФ при 50В
Мощность - Макс.	1,67 Вт (Тс)
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	СОТ-23-6
Поставщик пакета оборудования	СОТ-23-6Л
Базовый номер продукта	Г2К3Н
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	3 (168 часов)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	3000

Массив МОП-транзисторов 100 В, 3 А (Tc), 1,67 Вт (Tc), для поверхностного монтажа СОТ-23-6Л