Goford Semiconductor G2K8P15S - Goford Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник G2K8P15S

П-150В,-2,2А,РД(МАКС.)<310М@-10В,В

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник G2K8P15S
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 4
  • Артикул: Г2К8П15С
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,2280

Дополнительная цена:$0,2280

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 150 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2,2 А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 310 мОм при 500 мА, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3,5 В при 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 11 нк @ 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 966 пФ при 75 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2,5 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-СОП
Пакет/ключи 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)
Статус RoHS Соответствует RoHS
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0000
Стандартный пакет 4000
П-канал 150 В 2,2 А (Tc) 2,5 Вт (Tc) для поверхностного монтажа 8-SOP