| Параметры |
| Производитель | Гофорд Полупроводник |
| Ряд | Г |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | P-канал |
| Технология | МОП-транзистор (оксид металла) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 60 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 40А (Тс) |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 10 В |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 30 мОм при 10 А, 10 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 3 В @ 250 мкА |
| Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | 49 НК при 10 В |
| ВГС (Макс) | ±20 В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 2705 пФ при 30 В |
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 50 Вт (Тс) |
| Рабочая температура | -55°С ~ 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Поставщик пакета оборудования | 8-ДФН (4,9х5,75) |
| Пакет/ключи | 8-PowerTDFN |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| Стандартный пакет | 5000 |
П-канал 60 В 40 А (Tc) 50 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа 8-DFN (4,9х5,75)