GOFORD Semiconductor G3035L

P30V, RD (MAX) <59M@-10V, RD (MAX) <75

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: GOFORD Semiconductor G3035L
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 2
Sku: G3035L
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,4300

Эkst цena:$0,4300

Подрэбной

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	П-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	30
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	4.1a (TA)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	59mohm @ 2,1a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	2 В @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	12,5 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	650 pf @ 15 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	1,4 yt (tat)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	SOT-23-3
PakeT / KORPUES	Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	3 (168 чASOW)
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	3000

P-Kanal 30- 4,1A (TA) 1,4-м.т (та)