Гофорд Полупроводник G30N02T

Н20В,РД(МАКС)<13М при 4,5 В, VTH0,5 В~1.

Производитель: Гофорд Полупроводник
Номер производителя: Гофорд Полупроводник G30N02T
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 8816
Артикул: G30N02T
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	Гофорд Полупроводник
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	30А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	13 мОм при 20 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	1,2 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	15 нк @ 10 В
ВГС (Макс)	±12 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	900 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	40 Вт (Та)
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования	ТО-220
Пакет/ключи	ТО-220-3
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	50

Н-канал 20 В 30 А (Та) 40 Вт (Та) Сквозное отверстие ТО-220