Goford Semiconductor G30N03D3 - Goford Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник G30N03D3

Н30В,РД(МАКС)<7М@10В,RD(MAX)<12М@

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник G30N03D3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 40
  • Артикул: G30N03D3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,1160

Дополнительная цена:$0,1160

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 30А
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 7 МОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 13 нк @ 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 825 пФ при 15 В
Рассеиваемая мощность (макс.) 24 Вт
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-ДФН (3,15х3,05)
Пакет/ключи 8-PowerVDFN
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 5000
Н-канальный, 30 В, 30 А, 24 Вт, для поверхностного монтажа, 8-DFN (3,15х3,05)