GOFORD Semiconductor G33N03D3

N30V, RD (MAX) <12M@10V, RD (MAX) <13M

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: GOFORD Semiconductor G33N03D3
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian:-
ЗapaS: 40
Sku: G33N03D3
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,1420

Эkst цena:$0,1420

Подрэбной

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Коунфигура	2 n-канал (Дзонано)
FET FUONKSHINA	-
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	30
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	30А (TC)
Rds on (max) @ id, vgs	13mohm @ 18a, 10v
Vgs (th) (max) @ id	2,5 -50 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	15NC @ 10V
Взёр.	1530pf @ 15v
Синла - МАКС	18,5 yt (tc)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
PakeT / KORPUES	8-powervdfn
ПАКЕТИВАЕТСЯ	8-DFN (3x3)
Baзowый nomer prodikta	G33n
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	3 (168 чASOW)
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодар	5000

Массив MOSFET 30V 30A (TC) 18,5 st (Tc) poverхnosTnoe krepleplenee 8-dfn (3x3)