Goford Semiconductor G33N03D52 - Полевые транзисторы Goford Semiconductor, МОП-транзисторы - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник G33N03D52

Н30В, 33А,РД<13М при 10 В, VTH1 В~3 В, D

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник G33N03D52
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 5
  • Артикул: Г33Н03Д52
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,1770

Дополнительная цена:$0,1770

Подробности

Теги

Параметры
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 33А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 13 мОм при 16 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 17,5 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 782 пФ при 15 В
Рассеиваемая мощность (макс.) 29 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ДФН5*6
Пакет/ключи ДФН5*6
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 5000
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
N-канал 30 В 33 А (Tc) 29 Вт (Tc) для поверхностного монтажа DFN5*6