Goford Semiconductor G33N03S - Goford Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник G33N03S

Н30В,РД(МАКС)<12М@10В,РД(МАКС)<13М

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник G33N03S
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 4
  • Артикул: Г33Н03С
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,0920

Дополнительная цена:$0,0920

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 13А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 12 мОм при 8 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1,1 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 13 НК при 5 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1550 пФ при 15 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2,5 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-СОП
Пакет/ключи 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 4000
N-канал 30 В 13 А (Tc) 2,5 Вт (Tc) для поверхностного монтажа 8-SOP