GOFORD Semiconductor G33N03S

N30V, RD (MAX) <12M@10V, RD (MAX) <13M

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: GOFORD Semiconductor G33N03S
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 4
Sku: G33N03S
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,0920

Эkst цena:$0,0920

Подрэбной

Парметр
Манера	Goford Semiconductor
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	30
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	13a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	12mohm @ 8a, 10v
Vgs (th) (max) @ id	1,1 В @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	13 NC @ 5 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	1550 pf @ 15 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	2,5 yt (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	8-Sop
PakeT / KORPUES	8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм)
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	3 (168 чASOW)
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодар	4000

N-kanal 30- 13а (Tc) 2,5 st (tc) poverхnoStnoe