Goford Semiconductor G350P02LLE

P-20V, -8.2a, Rd (Max) <8,5 м@-4,5 v, v

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: Goford Semiconductor G350P02LLE
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 24
Sku: G350P02LLE
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,0450

Эkst цena:$0,0450

Подрэбной

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	П-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	20
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	4.5a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	1,8 В, 4,5 В.
Rds on (max) @ id, vgs	35mohm @ 4a, 4,5
Vgs (th) (max) @ id	1В @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	17,2 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 10 В.
Взёр.	1126 PF @ 10 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	1,4 yt (tc)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	SOT-23-6L
PakeT / KORPUES	SOT-23-6
Статус Ройс	ROHS COMPRINT
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0000
Станодадж	3000

P-Kanalol 20- 4,5A (TC) 1,4 м.