Goford Semiconductor G400P06T - Goford Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник G400P06T

П-60В,-32А,РД(МАКС)<40М@-10В,ВТХ-

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник G400P06T
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 4066
  • Артикул: G400P06T
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд Г
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 32А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 40 мОм при 12 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 46 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2598 пФ при 30 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 110 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-220
Пакет/ключи ТО-220-3
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 50
П-канал 60 В 32 А (Тс) 110 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-220