Goford Semiconductor G40P03D5 - Goford Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник G40P03D5

П-30В,-35А,РД(МАКС)<10М@-10В,ВТХ-

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник G40P03D5
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 5
  • Артикул: G40P03D5
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,1780

Дополнительная цена:$0,1780

Подробности

Теги

Параметры
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2716 пФ при 15 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 48 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-ДФН (5х6)
Пакет/ключи 8-PowerTDFN
Статус RoHS Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0000
Стандартный пакет 5000
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 35А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 10 мОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 50 НК при 10 В
П-канал 30 В 35 А (Tc) 48 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа 8-DFN (5x6)