Парметр |
Млн | Goford Semiconductor |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
FET FUONKSHINA | Станода |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 100 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 35A (TC) |
Rds on (max) @ id, vgs | 45mohm @ 10a, 10 В |
Vgs (th) (max) @ id | 2,5 -50 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 26NC @ 10V |
Взёр. | 2196PF @ 50V |
Синла - МАКС | 80 Вт (TC) |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | 8-Powertdfn |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8-DFN (4,9x5,75) |
Baзowый nomer prodikta | G450 |
Статус Ройс | ROHS COMPRINT |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодар | 5000 |
MOSFET Массив 100 В 35A (TC) 80 Вт (TC).