Goford Semiconductor G50N03D5 - Goford Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник G50N03D5

Н30В,РД(МАКС)<4,5 м при 10 В, RD (МАКС.) <8 м

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник G50N03D5
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 5
  • Артикул: Г50Н03Д5
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,1540

Дополнительная цена:$0,1540

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 50А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 4,5 мОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,4 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 38,4 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1784 пФ при 15 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 20 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-ДФН (4,9х5,75)
Пакет/ключи 8-PowerTDFN
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 5000
N-канал 30 В 50 А (Tc) 20 Вт (Tc) для поверхностного монтажа 8-DFN (4,9х5,75)