Гофорд Полупроводник G50N03J

Н30В,РД(МАКС)<7М@10В,RD(MAX)<12М@

Производитель: Гофорд Полупроводник
Номер производителя: Гофорд Полупроводник G50N03J
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 7
Артикул: G50N03J
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,1360

Дополнительная цена:$0,1360

Подробности

Параметры
Производитель	Гофорд Полупроводник
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	65А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	7 МОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	16,6 НК при 10 В
ВГС (Макс)	±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	1255 пФ при 15 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	48 Вт (Тс)
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования	ТО-251
Пакет/ключи	ТО-251-3 Заглушки, ИПак
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	75

Н-канал 30 В 65 А (Тс) 48 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-251