GOFORD SEMICONDUCTOR G50N03J

N30V, RD (MAX) <7M@10V, RD (MAX) <12M@

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: GOFORD SEMICONDUCTOR G50N03J
Епаково: Трубка
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 7
Sku: G50N03J
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,1360

Эkst цena:$0,1360

Подрэбной

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В припании	-
Упако	Трубка
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	30
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	65A (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	7mohm @ 20a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	2,5 -50 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	16,6 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	1255 PF @ 15 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	48 Вт (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Чereз dыru
ПАКЕТИВАЕТСЯ	251
PakeT / KORPUES	До 251-3 лиды, Ипак
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	75

N-kanal 30- 65a (tc) 48w (tc) чereз otwerstie of 251