Goford Semiconductor G58N06F - Goford Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник G58N06F

Н60В, 35А,РД<13М при 10 В, VTH1,0 В~2,4

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник G58N06F
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 2943
  • Артикул: G58N06F
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд Г
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 35А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 13 мОм при 30 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,4 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 75 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 30006 пФ при 30 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 44 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-220Ф
Пакет/ключи ТО-220-3 Полный пакет
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
Стандартный пакет 50
Н-канал 60 В 35 А (Тс) 44 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-220Ф