Goford Semiconductor G5N02L

N20V, 5A, Rd <18m@10V, VTH0,4V ~ 1,0

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: Goford Semiconductor G5N02L
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian:-
ЗapaS: 2129
Sku: G5N02L
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,0771

Эkst цena:$0,0771

Подрэбной

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	20
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	5А (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	2,5 В, 10 В.
Rds on (max) @ id, vgs	18mohm @ 4.2a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	1В @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	11 NC @ 4,5
Vgs (mmaks)	± 12 В.
Взёр.	780 pf @ 10 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	1,25 м (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	SOT-23-3
PakeT / KORPUES	Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3
Статус Ройс	ROHS COMPRINT
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0000
Дрогин ИНЕНА	3141-G5N02LTR
Станодар	3000

N-kanal 20- 5A (TC) 1,25 м.