Goford Semiconductor G60N06T — полевые транзисторы Goford Semiconductor, MOSFET — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник G60N06T

Н60В, 50А,РД<17М при 10 В, VTH1,0 В~2,0

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник G60N06T
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 9200
  • Артикул: Г60Н06Т
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 50А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 17 мОм при 5 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 50 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2050 пФ при 30 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 85 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-220
Пакет/ключи ТО-220-3
Статус RoHS Соответствует RoHS
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0000
Стандартный пакет 50
Н-канал 60 В 50 А (Тс) 85 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-220