Goford Semiconductor G65P06F — полевые транзисторы Goford Semiconductor, МОП-транзисторы — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник G65P06F

П-СН, -60В, 65А, РД(МАКС.)<18М@-10

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник G65P06F
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 20
  • Артикул: G65P06F
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,4060

Дополнительная цена:$0,4060

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 65А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 18 мОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3,5 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 75 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 6477 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 39 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-220Ф
Пакет/ключи ТО-220-3 Полный пакет
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 50
П-канал 60 В 65 А (Тс) 39 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-220Ф