GOFORD SEMICONDUCTOR G65P06F

P -CH, -60V, 65A, RD (MAX) <18M@-10

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: GOFORD SEMICONDUCTOR G65P06F
Епаково: Трубка
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 20
Sku: G65P06F
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,4060

Эkst цena:$0,4060

Подрэбной

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В припании	-
Упако	Трубка
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	П-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	60
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	65A (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	10 В
Rds on (max) @ id, vgs	18mohm @ 20a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	3,5 В @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	75 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	6477 PF @ 25 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	39 Вт (ТС)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Чereз dыru
ПАКЕТИВАЕТСЯ	DO-220F
PakeT / KORPUES	220-3-
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	50

P-KANAL 60 В 65A (TC) 39 Вт (TC).