Goford Semiconductor G65P06T — полевые транзисторы Goford Semiconductor, MOSFET — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник G65P06T

П-60В,РД(МАКС)<18М@-10В,ВТХ-2,0В~

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник G65P06T
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 10
  • Артикул: G65P06T
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,4530

Дополнительная цена:$0,4530

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 65А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 18 мОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3,5 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 75 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5814 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 130 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-220
Пакет/ключи ТО-220-3
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 50
П-канал 60 В 65 А (Тс) 130 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-220