Goford Semiconductor G66 — полевые транзисторы Goford Semiconductor, MOSFET — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник G66

П-16В,-5,8А,РД(МАКС)<45М@-4,5В,ВТ

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник G66
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 33
  • Артикул: G66
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,6800

Дополнительная цена:$0,6800

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд Г
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 16 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 5,8 А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 2,5 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 45 мОм при 4,1 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 7,8 нк при 4,5 В
ВГС (Макс) ±8 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 740 пФ при 4 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1,7 Вт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 6-ДФН (2х2)
Пакет/ключи 6-WDFN Открытая площадка
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
Стандартный пакет 3000
П-канал 16 В 5,8 А (Ta) 1,7 Вт (Ta) Для поверхностного монтажа 6-DFN (2x2)