Goford Semiconductor G75P04FI - Goford Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник G75P04FI

П-40В,-60А,РД(МАКС)<7М@-10В,ВТХ-1

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник G75P04FI
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 2148
  • Артикул: G75P04FI
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 60А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 7 МОм при 10 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В @ 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 106 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 6275 пФ при 20 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 89 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-220Ф
Пакет/ключи ТО-220-3 Полный пакет
Статус RoHS Соответствует RoHS
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0000
Стандартный пакет 50
П-канал 40 В 60 А (Tc) 89 Вт (Tc) Сквозное отверстие ТО-220Ф