Goford Semiconductor G800N06H — полевые транзисторы Goford Semiconductor, MOSFET — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник G800N06H

Н60В, 3А,РД<80М при 10 В, VTH0,7 В~1,2 В

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник G800N06H
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 10
  • Артикул: G800N06H
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,0640

Дополнительная цена:$0,0640

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 80 мОм при 3 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1,2 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 6 нк @ 4,5 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 457 пФ при 30 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1,2 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования СОТ-223
Пакет/ключи ТО-261-4, ТО-261АА
Статус RoHS Соответствует RoHS
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0000
Стандартный пакет 2500
N-канал 60 В 3 А (Tc) 1,2 Вт (Tc) для поверхностного монтажа SOT-223