Goford Semiconductor G80N03K - Goford Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник G80N03K

Н30В, 80А,РД<6,5 М при 10 В, VTH1,0 В~2.

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник G80N03K
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 5
  • Артикул: Г80Н03К
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,1710

Дополнительная цена:$0,1710

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 80А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 6,5 мОм при 25 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 42 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1950 пФ при 15 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 69 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ТО-252
Пакет/ключи ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63
Статус RoHS Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0000
Стандартный пакет 2500
Н-канал 30 В 80 А (Tc) 69 Вт (Tc) для поверхностного монтажа ТО-252