GOFORD Semiconductor G80N03K

N30V, 80A, RD <6,5 мкри 10 В, VTH1,0 В ~ 2.

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: GOFORD Semiconductor G80N03K
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 5
Sku: G80N03K
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,1710

Эkst цena:$0,1710

Подрэбной

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	30
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	80a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	6,5mohm @ 25a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	2 В @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	42 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	1950 PF @ 15 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	69 Вт (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	252
PakeT / KORPUES	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63
Статус Ройс	ROHS COMPRINT
Вернояж	3 (168 чASOW)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0000
Станодар	2500

N-kanall 30- 80A (TC) 69W (TC)