Goford Semiconductor G900P15M — полевые транзисторы Goford Semiconductor, MOSFET — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник G900P15M

П-150В,-60А,РД(МАКС)<80М@-10В,ВТХ

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник G900P15M
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 451
  • Артикул: Г900П15М
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,6400

Дополнительная цена:$1,6400

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 150 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 60А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 80 мОм при 5 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 27 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4056 пФ при 75 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 100 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ТО-263
Пакет/ключи ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ
Статус RoHS Соответствует RoHS
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 800
П-канал 150 В 60 А (Tc) 100 Вт (Tc) для поверхностного монтажа ТО-263