Гофорд Полупроводник GC11N65D5

Н650В, 11А,РД<360 М при 10 В, VTH2,5 В~4

Производитель: Гофорд Полупроводник
Номер производителя: Гофорд Полупроводник GC11N65D5
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 10
Артикул: GC11N65D5
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,6760

Дополнительная цена:$0,6760

Подробности

Параметры
Производитель	Гофорд Полупроводник
Ряд	Г
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	11А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	360 мОм при 5,5 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	4 В @ 250 мкА
ВГС (Макс)	±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	901 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	78 Вт (Тс)
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования	8-ДФН (4,9х5,75)
Пакет/ключи	8-PowerTDFN
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
Стандартный пакет	5000

N-канал 650 В 11 А (Tc) 78 Вт (Tc) для поверхностного монтажа 8-DFN (4,9х5,75)