Гофорд Полупроводник GC11N65M
N650V,RD(МАКС.)<360 М при 10 В, VTH2,5 В~4
- Производитель: Гофорд Полупроводник
- Номер производителя: Гофорд Полупроводник GC11N65M
- Упаковка: Лента и катушка (TR)
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 5673
- Артикул: GC11N65M
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | Гофорд Полупроводник |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Технология | МОП-транзистор (оксид металла) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 650 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 11А (Тс) |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 10 В |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 360 мОм при 5,5 А, 10 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4 В @ 250 мкА |
| Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | 21 НК при 10 В |
| ВГС (Макс) | ±30 В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 768 пФ при 50 В |
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 78 Вт (Тс) |
| Рабочая температура | -55°С ~ 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-263 |
| Пакет/ключи | ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 800 |
Н-канал 650 В 11 А (Tc) 78 Вт (Tc) для поверхностного монтажа ТО-263
Больше продуктов
- Vishay Силиконикс IRF510
- Vishay Силиконикс IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Силиконикс IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Силиконикс IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Силиконикс IRF9630
- Вишай Силиконикс IRF610
- Vishay Силиконикс IRF530
- Vishay Силиконикс IRF620
- Vishay Силиконикс IRF730
- Vishay Силиконикс IRF740