Гофорд Полупроводник GC11N65T

N650V,RD(МАКС.)<360 М при 10 В, VTH2,5 В~4

Производитель: Гофорд Полупроводник
Номер производителя: Гофорд Полупроводник GC11N65T
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 3477
Артикул: GC11N65T
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	Гофорд Полупроводник
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	11А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	360 мОм при 5,5 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	4 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	21 НК при 10 В
ВГС (Макс)	±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	901 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	78 Вт (Тс)
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования	ТО-220
Пакет/ключи	ТО-220-3
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	50

Н-канал 650 В 11 А (Тс) 78 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-220