GOFORD SEMICONDUCTOR GC11N65T

N650V, RD (MAX) <360M@10V, VTH2.5V ~ 4

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: GOFORD SEMICONDUCTOR GC11N65T
Епаково: Трубка
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 3477
Sku: GC11N65T
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТА

Подрэбной

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В припании	-
Упако	Трубка
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	650
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	11a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	10 В
Rds on (max) @ id, vgs	360mohm @ 5,5a, 10
Vgs (th) (max) @ id	4 В @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	21 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 30 v
Взёр.	901 pf @ 50 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	78W (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Чereз dыru
ПАКЕТИВАЕТСЯ	ДО-220
PakeT / KORPUES	220-3
Статус Ройс	Rohs3
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	50

N-kanal 650-11A (TC) 78W (TC).