Goford Semiconductor GC20N65T - Goford Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник GC20N65T

N650V,RD(МАКС.)<170 м при 10 В, VTH2,5 В~4

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник GC20N65T
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 10
  • Артикул: GC20N65T
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,2110

Дополнительная цена:$1,2110

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 20А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 170 мОм при 10 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4,5 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 39 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1724 пФ при 100 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 151 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-220
Пакет/ключи ТО-220-3
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 50
Н-канал 650 В 20 А (Тс) 151 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-220