GOFORD SEMICONDUCTOR GT007N04TL

N40V, 150A, RD <1,5 мкри 10 В, VTH1,0 В ~ 2.

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: GOFORD SEMICONDUCTOR GT007N04TL
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian:-
ЗapaS: 9197
Sku: GT007N04TL
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $1.0128

Эkst цena:$1.0128

Подрэбной

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	40
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	150a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	1,5mohm @ 30a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	2,5 -50 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	163 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	7363 PF @ 20 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	156 Вт (ТС)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	Toll-8L
PakeT / KORPUES	8-Powersfn
Статус Ройс	ROHS COMPRINT
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0000
Дрогин ИНЕНА	3141-GT007N04TLTR
Станодар	2000

N-kanal 40-150A (TC) 156W (TC)