GOFORD SEMICONDUCTOR GT011N03D5
N30V, 170a, rd <1,2 мкри 10в, VTH1,0 В ~ 2.
- Проиджоделх: Goford Semiconductor
- NoMerPOIзVODITELEL: GOFORD SEMICONDUCTOR GT011N03D5
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian:-
- ЗapaS: 2080
- Sku: GT011N03D5
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Goford Semiconductor |
| В припании | - |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ФЕТ | N-канал |
| Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
| Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 30 |
| TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 170a (TC) |
| Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 4,5 В, 10. |
| Rds on (max) @ id, vgs | 1,2 мома @ 30a, 10 |
| Vgs (th) (max) @ id | 2 В @ 250 мк |
| ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 98 NC @ 10 V |
| Vgs (mmaks) | ± 16 В. |
| Взёр. | 4693 PF @ 15 V |
| FET FUONKSHINA | - |
| Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 88 Вт (ТС) |
| Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8-DFN (4,9x5,75) |
| PakeT / KORPUES | 8-Powertdfn |
| Статус Ройс | ROHS COMPARINT |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0000 |
| Дрогин ИНЕНА | 3141-GT011N03D5TR |
| Станодадж | 5000 |
N-kanal 30- 170A (TC) 88W (TC) POWRхNOSTNONOE КРЕПЛЕНЕЕ 8-DFN (4,9x5,75)
Болх
- Vishay Siliconix IRF510
- Vishay Siliconix IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Siliconix IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Siliconix IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Siliconix IRF9630
- Vishay Siliconix IRF610
- Vishay Siliconix IRF530
- Vishay Siliconix IRF620
- Vishay Siliconix IRF730
- Vishay Siliconix IRF740